近期的華為 P10 閃存門持續(xù)發(fā)酵,華為的態(tài)度也受到了很多用戶的批評。不過,華為混用的閃存的原因之一是高端閃存供應(yīng)量不足。
近年 UFS 閃存在旗艦手機上逐漸普及,不過高端閃存的核心技術(shù)仍被三星、東芝等日韓廠商壟斷,國產(chǎn)廠商在關(guān)鍵手機元器件受制于人。據(jù)調(diào)查機構(gòu) DRAMeXchange 最近發(fā)布的報告,預(yù)計直到第三季度,三星、海力士等韓國廠商的 3D NAND 閃存的市場份額在全球?qū)⒊^一半。
而 3D 閃存相對于 2D 在容量和速度方面技術(shù)優(yōu)勢明顯,目前手機上的閃存絕大部分來自三星、東芝和海力士三家廠商,三星在去年最后一季度的全球市場份額將近 4 成。三星電子在遭受 Note 7 這樣極為嚴重的安全事故后,依靠閃存、內(nèi)存等元器件的價格上漲,利潤還能大幅增加,賺得盆滿缽滿。
此外,蘋果今年發(fā)布的新 iPhone 將會拿下市場上高端閃存的大部分產(chǎn)量,留給國產(chǎn)廠商的數(shù)量將會非常有限。而紫光等國產(chǎn)廠商生產(chǎn)制造的閃存在質(zhì)量、速度方面和日韓巨頭相比仍有很大的差距。紫光主導(dǎo)的武漢存儲芯片基地將會在今年生產(chǎn)出 32 層堆棧的 3D NAND 閃存,而三星實現(xiàn)同等規(guī)格的閃存量產(chǎn)時間是 2013 年。
2017 年對國產(chǎn)手機廠商而言依舊是一個充滿挑戰(zhàn)的時期,元器件價格上漲、人民幣匯率下跌都給手機成本帶來很大的壓力。國產(chǎn)廠商想要擺脫受制于人的命運,還有很長的一段路要走。