如果說E3大展上誰的展臺(tái)最大，可能你會(huì)依照直觀感受說是任天堂。但如果說誰的硬件含金量高，我想沒有哪家真正敵得過AMD。在E3 2015大展期間，AMD舉辦發(fā)布會(huì)先后爆出猛料，不僅帶來了意料之中的R9/R7 300主流中高端顯卡，更發(fā)布了旗艦的Fury X，一舉實(shí)現(xiàn)了從中端、高端到旗艦顯卡的全面覆蓋。更重要的是HBM技術(shù)給AMD顯卡提供了一條技術(shù)領(lǐng)先的通道，未來一段時(shí)間內(nèi)AMD面對(duì)老對(duì)手NVIDIA無疑將獲得更多市場(chǎng)的主動(dòng)權(quán)。

　　GDDR5面臨淘汰 HBM對(duì)AMD很重要

　　實(shí)際上單純從性能角度來說Fury X和Fiji核心意義并不算是空前絕后的，頻率提高和晶體管集成數(shù)量增加、擴(kuò)大核心面積所帶來的性能提升實(shí)際上在GPU的進(jìn)化歷程上很平常，F(xiàn)iji只是恰好成為當(dāng)下的翹楚而已。而我們之所以說Fury X和Fury顯卡具有十分重要的劃時(shí)代的意義，原因其實(shí)還是來自于HBM技術(shù)的加入。

　　說起來目前顯卡主流的GDDR5已經(jīng)經(jīng)歷了若干年頭，最先也是由AMD牽頭研發(fā)，但據(jù)稱早在7年以前AMD就已經(jīng)預(yù)知到GDDR5終將走向性能功耗比的瓶頸階段。而從近年來的性能曲線來看GDDR5似乎逼近了將遭淘汰的盡頭。此前一直有消息稱，AMD與NVIDIA為了爭(zhēng)奪高帶寬顯存的開發(fā)打的不可開交，最終我們看到的結(jié)果是AMD在與著名存儲(chǔ)顆粒及內(nèi)存生產(chǎn)廠商SK Hynix通過力配合率先攻克難關(guān)，搶下了NVIDIA做夢(mèng)都想要的市場(chǎng)技術(shù)先機(jī)。

　　HBM（High Bandwidth Memery高帶寬顯存）實(shí)際上是現(xiàn)有GDDR5的完美替代，如今GDDR5的性能功耗曲線已經(jīng)呈現(xiàn)出非線性曲線，通過簡(jiǎn)單的提升頻率增加帶寬的方法已經(jīng)不足以支撐未來的顯卡性能的發(fā)展，所以打破常規(guī)開發(fā)出更有效的解決辦法才是一勞永逸的變革。AMD與SK Hynix通過更合理的設(shè)計(jì)理念、更先進(jìn)的工藝、更高的集成度成功的解決了原有GDDR5在高端顯卡中帶寬不足、功耗大、占用PCB面積大等諸多負(fù)面影響。

　　傳統(tǒng)顯存顆粒與GPU之間交互完全依靠PCB的走線設(shè)計(jì)，在信息交互愈發(fā)高速的今天已經(jīng)急需進(jìn)一步提高，那么能夠?qū)崿F(xiàn)顯存顆粒與GPU之間快速交互的中介層成為絕佳的解決方案。通過中介層的運(yùn)用，顯存顆粒得以進(jìn)一步拉近與GPU之間的交互，極大地提升每瓦帶寬，性能功耗比提升顯著。

　　而通過穿透硅通孔（TSV）使得DRAM芯片彼此連接，并允許DRAM芯片實(shí)現(xiàn)縱向堆疊，另外TSV也被用于連接SoC/GPU和中介層，這樣不但讓DRAM芯片帶寬成倍增加，更保證了各個(gè)系統(tǒng)之間快速信號(hào)傳遞。

　　通過對(duì)比可以直觀的發(fā)現(xiàn)，HBM面對(duì)GDDR5幾乎碾壓般的優(yōu)勢(shì)，僅僅500MHz的顯存顆粒通過中介層和TSV的引入便能夠取得1024bit的高帶寬，這意味著以目前的顆粒集成封裝技術(shù)，顯卡帶寬提升若干倍完全不成問題。并且相比較原有的提升顯存頻率的方式，HBM將帶來極為節(jié)省成本的性能提升，可以說是HBM讓AMD搶下了通往下一代高性能顯卡的先機(jī)。無法想象若是NVIDIA率先拿下推出新旗艦卡，AMD將面臨怎樣被動(dòng)的局面。