三星Galaxy S10有望首發(fā)LPDDR5內(nèi)存和UFS 3.0閃存
安卓的新一輪硬件“軍備競賽”似乎要開始了，包括7nm CPU、LPDDR5、UFS 3.0等……
來自國外爆料人Samsung_News_的消息，他聽聞三星Galaxy S10將搭載LPDDR5 RAM。
去年夏季，三星宣布開發(fā)出首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級（10nm~20nm）工藝，單晶片容量8Gb。
除了速度的提升，LPDDR5內(nèi)存芯片相較LPDDR4X，功耗還減少了30%，可以說十分優(yōu)秀。
不過，這份爆料需要謹慎看待，因為去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上，三星人士透露，LPDDR5內(nèi)存計劃2020年商用，只是當時倒是說，UFS 3.0閃存會在今年上半年商用，首批解決方案涵蓋供128GB、256GB和512GB三種容量，最大數(shù)據(jù)傳輸速率為2000MB/s。
從這個角度來看，S10搭載UFS 3.0的可能性比LPDDR5更高，畢竟驍龍855公布的參數(shù)中也只提到了對UFS 3.0的支持。
三星已經(jīng)宣布，將于北京時間2月21日凌晨3點發(fā)布Galaxy S10系列新品，華爾街稱，三星還會在本次活動上同時展示軟硬件開發(fā)完成的折疊屏手機預量產(chǎn)機。
原標題：期待嗎？三星Galaxy S10有望首發(fā)LPDDR5內(nèi)存和UFS 3.0閃存
責任編輯：曾少林
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