UFS 3.0正式發(fā)布：引入HS-G4規(guī)范 性能是UFS 2.1的2倍
1月31日上午消息，固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)（JEDEC）發(fā)布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI，通用閃存存儲(chǔ)) v3.0標(biāo)準(zhǔn)（JESD220D、JESD223D），和UFS存儲(chǔ)卡v1.1標(biāo)準(zhǔn)（JESD220-2A）。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，UFS 3.0引入了HS-G4規(guī)范，單通道帶寬提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。
由于UFS的最大優(yōu)勢(shì)就是雙通道雙向讀寫(xiě)，所以接口帶寬最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。
互聯(lián)層設(shè)計(jì)方面，嚴(yán)格遵守MIPI（移動(dòng)產(chǎn)業(yè)處理器接口）的規(guī)范協(xié)議，其中物理層依據(jù)MIPI M-PHY v4.1，傳輸層依據(jù)MIPI UniProSM v1.8。
其它方面，UFS 3.0支持的分區(qū)增多（UFS 2.1是8個(gè)），糾錯(cuò)性能提升，電壓2.5V，支持最新的NAND Flash閃存介質(zhì)。面向工業(yè)領(lǐng)域如汽車(chē)自動(dòng)駕駛，工作溫度零下40攝氏度到高溫105攝氏度。
至于UFSHCI v3.0規(guī)范則面向主控廠商參考，用于簡(jiǎn)化通行設(shè)計(jì)。
至于UFS存儲(chǔ)卡v1.1，則實(shí)現(xiàn)了對(duì)HS-Gear1/2/3的全部兼容，這樣存儲(chǔ)速度就達(dá)到最高1.5GB/s。
另外，三星已經(jīng)宣布，將在2018年第一季首發(fā)推出UFS 3.0接口的產(chǎn)品。由于驍龍845、Exynos 9810等尚無(wú)證據(jù)支持UFS 3.0接口，所以是否對(duì)應(yīng)Galaxy S9終端或者僅僅是主控、閃存這類零部件，暫不得而知。
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