臺(tái)積電全面展開1.4nm工藝研發(fā) 2nm工藝2025年量產(chǎn)
臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025 年開始量產(chǎn)。
根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。IT之家注意到，目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù)，但考慮到 N2 節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節(jié)點(diǎn)則定于 2026 年底量產(chǎn)，因此 A14 節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將在 2027-2028 年問世。
在技術(shù)方面，A14 節(jié)點(diǎn)不太可能采用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)，不過臺(tái)積電仍在探索這項(xiàng)技術(shù)。因此，A14 可能將像 N2 節(jié)點(diǎn)一樣，依賴于臺(tái)積電第二代或第三代環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）技術(shù)。
N2 和 A14 等節(jié)點(diǎn)將需要系統(tǒng)級(jí)協(xié)同優(yōu)化，才能真正發(fā)揮作用，并實(shí)現(xiàn)新的性能、功耗和功能水平。
尚不清楚臺(tái)積電是否計(jì)劃在 2027-2028 年時(shí)間段為 A14 制程采用 High-NA EUV 光刻技術(shù)，考慮到屆時(shí)英特爾（以及可能其他芯片制造商）將采用和完善下一代數(shù)值孔徑為 0.55 的 EUV 光刻機(jī)，臺(tái)積電使用這些機(jī)器應(yīng)該相當(dāng)容易。然而，由于高數(shù)值孔徑 EUV 光刻技術(shù)將掩膜尺寸減半，其使用將給芯片設(shè)計(jì)人員和制造商帶來一些額外的挑戰(zhàn)。
當(dāng)然，從現(xiàn)在到 2027-2028 年，很多事情都可能會(huì)發(fā)生變化，因此不能做出太多的假設(shè)。但可以肯定的是，臺(tái)積電的科學(xué)家和開發(fā)人員正在致力于下一代生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的研發(fā)。
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