三星發(fā)布eMMC 5.1手機內(nèi)存芯片 或登陸Galaxy S6
[摘要]新閃存芯片峰值讀寫速度可以分別達250MB/s和125MB/s，隨機讀寫性能也提升至11000 IOPS與13000IOPS，比外置microSD卡快了0.27倍。
除了容量大小以外，閃存芯片本身的性能和速度也在很大程度上決定了智能手機的整體表現(xiàn)，顯然并不是每個廠商都會為自己的產(chǎn)品配備最優(yōu)秀的閃存芯片。而根據(jù)國外媒體的最新報道，知名的閃存芯片制造商三星日前推出了世界上首款eMMC 5.1閃存芯片，并且已經(jīng)準備為一些OEM生產(chǎn)商供貨，這意味著即將發(fā)布的Galaxy S6或?qū)⒋钶d這種最新的eMMC 5.1閃存芯片。
三星宣稱64GB eMMC 5.1閃存芯片的峰值讀寫速度可以分別達250MB/s和125MB/s，隨機讀寫性能也提升至11000 IOPS與13000IOPS，比外置microSD卡快了0.27倍，總體表現(xiàn)也比eMMC 5.0高出不少。不僅如此，三星eMMC 5.1閃存芯片也是業(yè)界首款提供命令隊列功能的閃存芯片，允許命令提前進行列隊排序，多任務(wù)表現(xiàn)進一步升級。
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